技术指标：

靶位：共有4个靶位，其中射频2个，直流2个，

靶尺寸：Φ75 mm、厚度4-5 mm，

基片加热温度：室温～700℃，

样品尺寸 ：≤Φ 30mm，

系统极限真空 ：主溅射室5× 10 -5 Pa，

溅射气氛：Ar、 N₂ 、O₂

主要功能：

溅射沉积制备高质量的单层膜或多层膜；可以制备金属、半导体以及绝缘体薄膜；通过调节溅射气氛，可制备出各种非化学计量比的化合物薄膜

购置时间：

2010年

放置地点：

清华大学逸夫技术科学楼2419室

联系电话：

62772553