刘锴团队在全固态铁电梯度掺杂可重构器件方面取得新进展
近日,清华大学新型陶瓷材料全国重点实验室刘锴教授团队提出了一种全固态铁电梯度掺杂(Ferroelectric-Graded-Doping, FeGD)策略,将铁电层P(VDF-TrFE)与二维双极性半导体MoTe2沟道结合,利用有效栅压调节铁电极化的梯度分布,在简单的单栅极器件结构中实现了非易失存储、人工突触和存内逻辑等12种可重构功能,为后摩尔时代高集成、多功能、低复杂度可重构电子器件提供了新的实现路径。随着集成电路特征尺寸的持续微缩,传统...