主要技术指标

Specifications

分辨率：0.8nm@15kV;1.4nm@1kV

加速电压：0.02-30kV

电子束流：10pA-40nA

探测器：

二次电子探测器、背散射电子探测器、能谱探测器、背散射衍射探测器

Resolution:0.8nm@15kV;1.4nm@1kV

Acceleration Voltage: 0.02-30kV

Probe Current: 10pA-40nA

Detectors:

SE detectors, BSD detector, EDS detector, EBSD detector.

主要功能

Function：

可实现对各类材料的微区结构的观察和分析;

广泛应用于各种材料，例如陶瓷、金属、不导电材料、半导体器件、生物样品、磁性样品等的高分辨观察。

购置时间：2016

放置地点：逸夫技术科学楼2113

Observing and analyzing micro-area of many kinds of material;

High resolution imaging of many kinds of material, e.g. Ceramics\Metal\

non-conductive materials\ semiconductor\

biological samples\

Magnetic Samples.

Purchase: 2016

Location：2113