技术指标：

电流测量指标：±100fA～±100mA；准确度：±0.035%

电压测量指标：0～100V；最小分辨率：0.1μV；准确度：0.002%

阻值范围：Van der Pauw：0.4mΩ～100GΩ；

测试温度：45K～325 K

磁场强度>1.0T@10mm；>5600高斯@20mm

磁场形式双极，无断点、平滑过零

测量参数：

霍尔效应：方块电阻、霍尔系数、导电类型、霍尔迁移率、载流子浓度

磁阻：方块电阻、电阻率；

I-V特性：I-V特性曲线、R-B曲线、R-T曲线

购置时间：

2012年

放置地点：

清华大学逸夫技术科学楼2209室

联系电话：

62773309