技术指标：

高压源±10 KV、±700 V

低压源±100V

测量精度0.5％

测量点数1000

被测介质块体、薄膜

测量温度－196℃～+600℃

可测参数：

电滞回线、漏电流、电流-偏压、电容-偏压、极化强度，老化特性与疲劳特性 等参数

购置时间：

2009年

放置地点：

清华大学逸夫技术科学楼2209室

联系电话：

62773309