报告时间：2024年10月15日上午10:00-12:00

报告人：段曦东教授（湖南大学）

报告地点：清华—富士康纳米中心四层报告厅

邀请人：刘锴老师

报告题目：二维半导体异质结、多异质结、异质结阵列和超晶格的合成

报告摘要：

集成电路的飞速发展给摩尔定律带来了极大的挑战，为了解决这个挑战人们提出了很多方案。其中发展新一代半导体取代问题日益严重的硅基半导体是一个基本的策略。二维半导体由于原子级薄、表面原子级光滑、无悬空键，天然免疫短沟道效应等特征，被认为是取代硅基半导体的下一代半导体的有力候选者。与三维半导体一样，二维半导体要取得很好的应用，需要对其化学组分和电子结构的空间分布进行调控，也就是制备二维半导体异质结、多异质结、异质结阵列、和超晶格。针对二维材料原子级薄，巨大的长厚比的几何特征，通过发展新的合成原理和技术，克服二维材料面内生长和面外生长的竞争、生长与热刻蚀的竞争、成核随机不可控、异质结界面易合金化等挑战，控制合成二维材料过程中的成核和生长，我们实现了二维半导体异质结、多异质结、异质结阵列、超晶格的合成。这些工作为二维材料物性研究和在器件、集成电路中的应用提供了丰富的材料平台，推动了二维材料在芯片等行业的实用化进程。

报告人简介：

段曦东，湖南大学二级教授，1993年本科毕业于湖南大学化学化工系，博士毕业于湖南大学化学化工学院。段曦东教授目前主要从事二维材料制备、物性研究和先进光电功能器件研究，已以第一作者和通讯作者在包括Science、Nature，Nat. Nanotech, Nature Materials, Nature Electronics, Adv. Mater., JACS和Chem. Soc. Rev.等期刊上发表论文百余篇。段曦东教授2017年获湖南省自然科学一等奖（排名第二），2017年获中国电子科技十大进展奖， 2019年获国家自然科学二等奖(排名第三), 2020年获中国材料研究学会科学技术奖一等奖（排名第一），2020年获中国半导体十大进展奖,2020年获聘教育部长江学者特聘教授。