德国IONTOF公司 M6型

1．分析器：

反射式（3米反射tof）

质量分辨率：

＞17000（29u 28SiH⁺）(FWHM)

＞26000（＞200u）(FWHM)

绝缘材料上的质量分辨率：＞18000（PET，104u）(FWHM)

质量范围: ＞12000u

2．LMIG：Bi源（Nanoprobe 50）

离子束最高能量：30 keV

最高DC电流：＞40 nA

最佳横向分辨率：<50 nm

快扫模式下的束流密度：<90 nm @ 350 pA DC

最高脉冲电流：>40 pA

3．GCIB (Ar团簇离子枪)

溅射模式能量范围：2-20 keV

Cluster尺寸：1000-5000可选

溅射最小光斑尺寸：＜5 μm

分析模式能量范围：10-20 keV

Cluster尺寸：1000-5000可选

4．DCS（O₂/Cs） (仅作溅射)

O₂离子源能量范围：0.1-2 keV

最小光斑尺寸：<10 μm

Cs离子源能量范围：0.1-2 keV

最小光斑尺寸：<5 μm

5．带电中和低能电子枪

能量：0-21eV可调

6．样品台：5维样品台

7．EDR技术：动态范围增2个量级

表面质谱：样品表面准无损分析，包括元素和分子信息；灵敏度 ppm/ppb

表面成像：表面元素和分子的横向分布，以及获取表面所有组成成像；横向空间分辨率 <50 nm

深度剖析：内部深度元素和分子分布分析，纵向分布深度分辨率<1nm，深度范围从数nm至数μm

三维分析：横向空间信息和深度空间信息的结合

适用于半导体、陶瓷、高分子材料、微电子、薄膜、纳米材料、化学、医药、生物、冶金、汽车、印刷与造纸等多领域的各种有机和无机固体样品。

2024年