Veeco公司Savannah S200

样品反应腔，内外双区域加热，最高加热温度350℃

配备 4 路前驱源管路

前驱源脉冲时间可精确控制到0. 015s.

膜厚均匀性：≤ ±1.5% 1-sigam

原子层沉积设备用于制备原子尺度金属氧化物材料，可在平板衬底、沟槽结构表面、不规则样品表面沉积均匀、致密的原子层级别的薄膜。设备可用于生长多种氧化物薄膜，可应用于材料学、物理学、化学、微电子、光电子、能源、催化、纳米技术、太阳能电池等领域。

2023年