中科院沈科仪，JCP-560 

靶位：共有2个靶位，其中射频1个，直流1个，

靶尺寸：Φ50.8 mm（两英寸）、厚度3-5 mm，

基片加热温度：室温～700℃，

样品尺寸 ：≤Φ 50mm，

系统极限真空 ：主溅射室2.0×10-4pa

溅射气氛：Ar、 N₂ 、O₂

溅射沉积制备高质量的单层膜或多层膜；可以制备金属、半导体以及绝缘体薄膜；通过调节溅射气氛，可制备出各种非化学计量比的化合物薄膜。

2021年